احتمال محکومیت ۱.۲ میلیارد دلاری سامسونگ به دلیل نقض پتنت

مؤسسه پیشرفته دانشگاه علم و فناوری کره جنوبی «KAIST»، با ثبت شکایتی، سامسونگ را متهم به نقض پتنت متعلق به این دانشگاه نموده که مرتبط با فناوری «FinFET» است.

تاریخ خبر : ۱۳۹۷/۰۴/۱۳ تعداد بازدید : ۷۶
تعداد رای : ۰
موضوعات خبر : دعاوی قضایی

سامسونگ که به تازگی در جدال حقوقی ادامه‌دار با اپل بر سر نقض حقوق پتنت، به پرداخت ۵۳۸.۶ میلیون دلار محکوم شده است، حالا با پرونده‌ای جدید مواجه شده که می‌تواند غرامتی بیش از یک میلیارد دلار را برای این غول فناوری در پی داشته باشد. مؤسسه پیشرفته دانشگاه علم و فناوری کره جنوبی «KAIST»، با ثبت شکایتی در دادگاه منطقه‌ای تگزاس، سامسونگ را متهم به نقض «US» پتنت متعلق به این دانشگاه نموده که مرتبط با فناوری فین‌فت «FinFET» است. این فناوری، در زمینه نوع خاصی از ترانزیستور است که در طراحی پردارنده‌های گوشی‌های تلفن همراه هوشمند مورد استفاده قرار می‌گیرد و علاوه بر بهبود عملکرد، مصرف انرژی را نیز به میزان قابل ملاحظه‌ای کاهش می‌دهد.

 

filereader.php?p1=main_a87ff679a2f3e71d9 

 

بنا بر گزارش «Phone Arena»، مبلغ اعلام شده بابت بدهکاری به «KAIST»، برابر با ۴۰۰ میلیون دلار است که البته با توجه به تصریح هیئت منصفه به نقض آگاهانه پتنت از سوی سامسونگ، قاضی می‌تواند خسارات وارد شده را تا سه برابر مبلغ مذکور در نظر گیرد. بر این اساس، غرامت پرداختی سامسونگ می‌تواند تا ۱.۲ میلیارد دلار افزایش یابد. علاوه بر سامسونگ، کوآلکام و «Global Foundries» نیز به نقض پتنت فین‌فت متهم شده‌اند که بنا بر گزارش‌ها توانسته‌اند از پرداخت غرامت بگریزند.

گفتنی است، سامسونگ در واکنش ابتدایی به شکایت «KAIST»، استفاده از فین‌فت را به کلی رد کرده بود که در ادامه با اعلام این‌که در توسعه فین‌فت با این دانشگاه همکاری داشته است، پتنت را نامعتبر دانسته و درخواست تجدید نظر خود را به دادگاه ارائه نمود.

منبع : Phone Arena

نظرات

پاسخ به نظــر بازگشت به حالت عادی ثبت نظر

نوع نظر
نـــام
ایمیل
نظر شما
کارکترهایی که در تصویر می بینید را وارد نمایید. (حساس به حروف کوچک و بزرگ)