یکی از محققان دانشگاه ویکتوریا بریتیش کلمبیا، با ارائه یک فناوری جدید برای استفاده از نوعی ماده مغناطیسی در حافظه، کارشناسان را به حل بخشی از معضل جهانی حافظه امیدوار نموده است. دکتر «Natia Frank» پژوهشگر ارشد دپارتمان شیمی این دانشگاه، با پتنت نمودن این فناوری که آن را «LI-RAM» نامیده، در واقع ماده ای جدید در فناوری مشابه «MRAM» را به کار گرفته که در حال حاضر از آن استفاده می شود و به این واسطه تغییری شگرف در نسل جدید کارت های حافظه ایجاد نموده است.
در این فناوری، جهت بارگذاری اطلاعات و نیز بازخوانی حافظه، به جای امواج الکتریکی از امواج نوری تغییر یافته توسط یک میدان مغناطیسی استفاده می گردد. نکته قابل توجه، استفاده از ابعاد بسیار کوچک هر واحد حافظه می باشد؛ به طوری که ذخیره سازی اطلاعات می تواند در واحدی با ابعاد آنگستروم به جای نانومتر (با مقیاس تقریبی 1 به 10) انجام گیرد. برای درک بهتر ابعاد مذکور، می بایست به حافظه «3D V-NAND» سامسونگ اشاره کرد که طولی برابر با 21 نانومتر دارد و 210 برابر بزرگتر از یک آنگستروم می باشد.
یکی دیگر از ویژگی های متمایز فناوری ارائه شده، کاهش برق مورد نیاز جهت ذخیره سازی اطلاعات در دستگاه حافظه می باشد؛ در حال حاضر، دکتر فرانک مدعی است استفاده از این فناوری منجر به کاهش بیش از 10 درصدی مصرف برق نسبت به فناوری «MRAM» خواهد شد. تمامی ویژگی های ذکر شده، این نوید را به ما می دهد که می توان با استفاده از فناوری جدید، داده های بسیار زیادی را در یک فضای بسیار کوچک جای داد، در حالی که این کار با تولید گرمای کمتر و کارایی بالاتر همراه خواهد بود.
دکتر فرانک با تأکید بر این که فناوری مذکور می تواند کاربردهای متنوعی در تصویربرداری پزشکی، سلول های خورشیدی و طیف وسیعی از فناوری نانو داشته باشد، افزود: «این تکنولوژی بخشی از یک طرح گسترده تر بوده که با هدف تولید نسل جدیدی از کارت های حافظه با مصرف برق کمتر و همخوانی بیشتر با محیط زیست در حال انجام می باشد.»
بنا بر اعلام دپارتمان شیمی دانشگاه کلمبیا، این فناوری به زمانی نزدیک به 10 سال برای تجاری سازی و استفاده مصرف کننده از آن نیاز دارد.
