۱۶ اردیبهشت ۱۳۹۶ توسعه فناوری نسل جدید حافظه در دانشگاه بریتیش کلمبیا
یکی از محققان دانشگاه ویکتوریا بریتیش کلمبیا، با ارائه یک فناوری جدید برای استفاده از نوعی ماده مغناطیسی در حافظه، کارشناسان را به حل بخشی از معضل جهانی حافظه امیدوار نموده است. دکتر «Natia Frank» پژوهشگر ارشد دپارتمان شیمی این دانشگاه، با پتنت نمودن این فناوری که آن را «LI-RAM» نامیده، در واقع ماده ای جدید در فناوری مشابه «MRAM» را به کار گرفته که در حال حاضر از آن استفاده می شود و به این واسطه تغییری شگرف در نسل جدید کارت های حافظه ایجاد نموده است.

filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820

در این فناوری، جهت بارگذاری اطلاعات و نیز بازخوانی حافظه، به جای امواج الکتریکی از امواج نوری تغییر یافته توسط یک میدان مغناطیسی استفاده می گردد. نکته قابل توجه، استفاده از ابعاد بسیار کوچک هر واحد حافظه می باشد؛ به طوری که ذخیره سازی اطلاعات می تواند در واحدی با ابعاد آنگستروم به جای نانومتر (با مقیاس تقریبی 1 به 10) انجام گیرد. برای درک بهتر ابعاد مذکور، می بایست به حافظه «3D V-NAND» سامسونگ اشاره کرد که طولی برابر با 21 نانومتر دارد و 210 برابر بزرگتر از یک آنگستروم می باشد. 
یکی دیگر از ویژگی های متمایز فناوری ارائه شده، کاهش برق مورد نیاز جهت ذخیره سازی اطلاعات در دستگاه حافظه می باشد؛ در حال حاضر، دکتر فرانک مدعی است استفاده از این فناوری منجر به کاهش بیش از 10 درصدی مصرف برق نسبت به فناوری «MRAM» خواهد شد. تمامی ویژگی های ذکر شده، این نوید را به ما می دهد که می توان با استفاده از فناوری جدید، داده های بسیار زیادی را در یک فضای بسیار کوچک جای داد، در حالی که این کار با تولید گرمای کمتر و کارایی بالاتر همراه خواهد بود. 
دکتر فرانک با تأکید بر این که فناوری مذکور می تواند کاربردهای متنوعی در تصویربرداری پزشکی، سلول های خورشیدی و طیف وسیعی از فناوری نانو داشته باشد، افزود: «این تکنولوژی بخشی از یک طرح گسترده تر بوده که با هدف تولید نسل جدیدی از کارت های حافظه با مصرف برق کمتر و همخوانی بیشتر با محیط زیست در حال انجام می باشد.» 
بنا بر اعلام دپارتمان شیمی دانشگاه کلمبیا، این فناوری به زمانی نزدیک به 10 سال برای تجاری سازی و استفاده مصرف کننده از آن نیاز دارد.

پربازدید‌ترین‌ها

جلسه اتاق بازرگانی اصفهان
۱۴ اسفند ۱۴۰۲

جلسه اتاق بازرگانی اصفهان

نشست مدیر کانون مدیریت دارایی‌های فکری و اعضای کمیسیون اقتصاد دانش بنیان اتاق بازرگانی اصفهان، در تاریخ ۱ اسفند ۱۴۰۲ و در حاشیه رویداد نکست

انعقاد تفاهم‌نامه همکاری کانون مدیریت دارایی‌های فکری با دانشگاه اصفهان
۱۴ اسفند ۱۴۰۲

انعقاد تفاهم‌نامه همکاری کانون مدیریت دارایی‌های فکری با دانشگاه اصفهان

میترا امین‌لو، مدیر کانون مدیریت دارایی‌های فکری معاونت علمی، فناوری و اقتصاد دانش‌بنیان ریاست‌جمهوری توافق‌نامه‌ای را با هادی امیری، معاون پژوهش و فناوری دانشگاه اصفهان در روز ۲ اسفند ۱۴۰۲ منعقد نمود.

فرصت همکاری حضوری
۲۱ اسفند ۱۴۰۲

فرصت همکاری حضوری

کانون مدیریت دارایی‌های فکری از افراد واجد شرایط به صورت حضوری در بخش‌های مختلف دعوت به همکاری می‌کند.

توافق‌نامه‌ همکاری کانون مدیریت دارایی‌های فکری معاونت علمی، فناوری و اقتصاد دانش بنیان با سازمان تجاری‌سازی فناوری و اقتصاد دانش بنیان جهاد دانشگاهی
۱۲ اسفند ۱۴۰۲

توافق‌نامه‌ همکاری کانون مدیریت دارایی‌های فکری معاونت علمی، فناوری و اقتصاد دانش بنیان با سازمان تجاری‌سازی فناوری و اقتصاد دانش بنیان جهاد دانشگاهی

کانون مدیریت دارایی‌های فکری معاونت علمی، فناوری و اقتصاد دانش بنیان با سازمان تجاری‌سازی فناوری و اقتصاد دانش بنیان جهاد دانشگاهی توافق‌نامه‌ همکاری منعقد کرد.